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Bei einem 1T-SRAM (Hersteller: MoSys, Kalifornien) besteht das eigentliche Speicherfeld aus DRAM, dem eine kleine Menge SRAM quasi als Cache vorgeschaltet ist. Durch einen speziellen internen Aufbau und sehr schnelle DRAM-Zellen verhält sich das 1T-SRAM genau wie herkömmliches SRAM. [5]

3D RAM, Mischung aus VRAM, DRAM und eingebettetem Speicherdesign. Einsatz als hochoptimierter Grafikspeicher.

Burst EDO-RAM, im Fall nacheinander folgender gleicher Spalten, entfällt die Übergabe der Spaltenadresse; diese wird vom Chip selbstständig generiert. Sehr vorteilhaft bei Grafikspeicher.

Im Zuge der technischen Entwicklung entstanden unterschiedliche RAM-Module, die je nach Stand der Technik in den Computer eingesetzt werden. Begleitet von höheren Integrationsdichten bei den ICs konnten schnellere Zugriffszeiten und eine höhere Kapazität erreicht werden. Die unterschiedlichen Bauformen (SIMM, PS/2, DIMM) unterscheiden sich auch bei gleicher Bauform in Taktfrequenz (FSB), mit/ohne Fehler-Erkennung oder -Korrektur, Spannung, Ansteuerung etc.

Column Address Strobe, zeigt üblicherweise LOW-aktiv (/CAS) die Gültigkeit der Spaltenadresse an. [8]

Cached DRAM, sehr schnelles RAM, Vorgänger des 3D RAM. Einsatz als Grafikspeicher.

Concurrent Rambus DRAM, der Nachfolger von RDRAM mit gesteigerter Datentransferrate.

Die Double-Data-Rate-SGRAM von Infineon sind eine Mischung aus SGRAM und DDR-RAM. [7]

Double Data Rate SDRAM, als Taktimpuls wird sowohl die steigende als auch die fallende Flanke des Impulses genutzt; dadurch kann die Taktrate und damit auch der Datendurchsatz verdoppelt werden. Zur Unterscheidung werden die Speichertypen mit der doppelten Takt-Frequenz bezeichnet, z. B. DDR200 (PC1600) für 100 MHz. In der Klammer ist der zugehörige Namen des Modultyps angegeben. Eine Übersicht der Typen ist in der folgenden Tabelle angegeben:

Speichertyp	Modultyp	Taktfrequenz
DDR200	PC1600	100 MHz
DDR266	PC2100	133 MHz
DDR333	PC2700	166 MHz
DDR400	PC3200	200 MHz

Dynamic Random Access Memory, dynamisches RAM, bildet aus nur einem einzigen Transistor und einem winzigen Kondensator eine Speicherzelle. Beim Auslesen wird der Kondensator entladen, so daß die RAM-Logik ihn sofort wieder nachladen muß (write back). Zusätzlich muß ein Refresh den Speichererhalt sichern. Der DRAM wurde von IBM erfunden und ab 1970 durch Intel vermarket. [8]

Direct Rambus DRAM, der Nachfolger von RDRAM und Concurrent RDRAM mit nochmaliger Steigerung der Datentransferrate.

Dual Inline Memory Module-Module sind als RFU, gepufferte und ungepufferte Typen sowie für unterschiedlichen Spannungen erhältlich. Durch verschieden positionierte Kerben in der Platine eines DIMM-Modules lassen sich die verschiedenen Typen unterscheiden.

Beim DIMM-Modul verhindern unterschiedlich positionierte Kerben das Einsetzen in einen inkompatiblen Slot

Bei Extended Data Output RAM werden durch Pipelining die folgenden Daten bereits während des Lesens der letzten Adresse angelegt, was wesentliche Übertragungszeit eingespart. Weiterentwickelt zu BEDO-RAM. Ein Interleave ist bei EDO-RAM nicht möglich, da hier die Daten auf dem BUS kollidieren würden. [8]

Enhanced DRAM von Ramtron sind intern mit EDO-RAM bestückt und haben einen vorgeschalteten SRAM. Mit zusätzlicher Page-Miss/-Hit-Logik werden diese auch Zeilen-Cache genannt und als DCA von Octec vermarktet. [8]

Fast Cycle RAM von Fujitsu, der mit bis zu 200 MHz Taktfrequenz arbeitet, soll ähnlich kurze Zugriffszeiten wie SRAM bieten, aber in der Herstellung deutlich preiswerter sein als dieser Speichertyp. Damit zielt FCRAM besonders auf Grafikanwendungen und Netzwerk-Router.[2] [3]

Fast Page Mode ist eine Betriebsart, die bei Zugriffen auf einer Seite (Page) liegen (Page Hit). Zu einem Zugriff muß nur die Spaltenadresse und nicht die (identische) Zeilenadresse neu angelegt/adressiert werden, was zu deutlich schnelleren Zugriffszeiten führt. Ursache hierfür ist die üblicherweise doppelt so hohe RAS-Zugriffszeit mit z. B. 60 ns auf eine neue Zeile gegenüber der CAS-Zugriffszeit mit z. B. 20 bis 25 ns auf eine neue Spalte.

Ferroelectrically RAM sind im Aufbau einem DRAM ähnlich, aber kein flüchtiger Speicher, basiert auf ferroelektrischen Eigenschaften des im Kondensator verwendeten Dielektrikums. Die Hersteller Toshiba, Samsung und Fujitsu haben allerdings noch Probleme mit der gegenüber MRAMs beschränkten Anzahl der Lese-Schreibzyklen. [6] [9]

Der Frontsidebus (FSB) legt die Taktfrequenz mit der RAM-Module angesteuert werden fest. Er bestimmt damit auch wesentlich die Datenrate z. B. zwischen CPU und RAM

Die Interleave-Technik erhöht den mittleren Datendurchsatz durch das abwechselnde Ansprechen zumindest zweier identischer SIMM-Bänke. Während die eine Bank gelesen oder beschrieben wird, werden die gewünschten Adressen der anderen Bank bereits angelegt und werden damit, da die zugehörenden Daten noch nicht gültig sind, für einen Schreib- oder Lesezugriff bereits vorbereitet. [8]

Multibank DRAM, besteht aus Feld unabhängiger Speicherbänke, wodurch sehr hohe Datentransferraten erzielt werden. Einsatz als Grafikspeicher.

Magnetoresistiver RAM, der wie der ähnliche FRAM nichtflüchtig ist, also auch beim Abschalten der Spannungsversorgung die Daten speichert. Die von Motorola hergestellten Speicherzellen bestehen jeweils aus einen Transistor (1T) und einer Magnetic Tunnel Junction (MTJ). Der Schreib-Lesezyklus liegt unter 50 ns und ein bei 3 V arbeitender 256-KBit-MRAM-Chip verbraucht lediglich 24 mW. [6]

PC133 wird hauptsächlich von Nicht - Intel - Chipsatz - Herstellern unterstützt.

Pipelining ist die Ausgabe einer vorher festgelegten Anzahl von Daten ohne jeweils die Adresse anzugeben. Es wird dabei also nur die Adresse des ersten Datums angelegt und z. B. 4 weitere Daten werden angehängt. EDO-RAM nutzt diese Übertragungstechnik und organisiert dies auf dem Modul selbst. Sie sind daher pinkompatibel zu FPM-RAM, müssen jedoch entsprechend der Pipeline angesprochen werden. [8]

Module mit 72 Anschlüssen, die ihren Namen aus dem ersten Einsatz in den Rechnern der PS/2-Serie von IBM haben.

Quad-Data-Rate-SRAM für 333 MHz Taktfrequenz von Cypress. Die Chips besitzen zwei Datenports, die jeweils als Double-Data-Rate-Interface (siehe auch DDR-RAM) ausgeführt sind. So können zwei Prozessoren gleichzeitig mit hoher Geschwindigkeit auf den Speicherinhalt zugreifen. [4]

Row Address Strobe, zeigt üblicherweise LOW-aktiv (/RAS) die Gültigkeit der Zeilenadresse an. [8]

Rambus DRAM, neue Speichertechnologie von Rambus Inc.; bringt sehr hohe Datentransferraten aufgrund eines schmalen, aber sehr schnellen Kanals.

Der bei DRAM erforderliche Refresh kompensiert das Entladen des Kondensators aufgrund von Leckströmen durch dessen zyklisches Nachladen. Die Kapazität liegt bei einem 16 MBit Baustein zwischen 25 und 50 fF (1 fF = 1 Femtofarad = 10^-15 F). Insgesamt verursachen die bis zu 840 nF (1 nF = 1 Nanofarad = 10^-9 F) einen entsprechend hohen Nachladestrom, der wiederum einen Spannungseinbruch nach sich ziehen kann. Zu dessen Vermeidung werden eine hohe Refresh-Rate und geeignete Abblockkondensatoren eingesetzt. Außerdem kann ein Standard-Refresh (ROR) oder ein Hidden-Refresh (CBR) angewendet werden. [8]

Die Reduced Latency SDRAM von Infineon arbeiten mit 25 ns Zugriffszeit, statt der heute üblichen 50 ns bei Single- und Double-Data-Rate-SDRAMs. [7]

Synchronous Dynamic RAM, DRAM, welches mittels eines Taktgebers synchronisierte Ein- und Ausgaben liefert.

Soft Error, der vor allem durch einen Alpha-Zerfall eines radioaktiven Kalium-40-Atoms im IC-Gehäuse entsteht. Soft Errors sind daher weder vermeidbar noch reproduzierbar. Sie lassen sich nur durch ECC-Module abfangen. Mittlerweile ist durch die hohe Integrationsdichte und Kalium-40 armes Gehäusematerial die MTBF (mean time betwean failures, Fehlerrate) von Anfangs 60 bis 70 Stunden bei einem 16 kBit DRAM auf über 1000 Jahren bei einem 16 MBit DRAM angewachsen. [8]

Synchronous Graphics RAM, für die Grafik optimiertes SDRAM; enthält zusätzliche Befehle wie MaskWrite und BlockWrite. Einsatz als Grafikspeicher.

SynchLink DRAM, eine Weiterentwicklung des SDRAM; durch Parallelisierung werden höhere Transferraten erzielt.

Static RAM lässt sich simpler adressieren als DRAM und braucht keine zusätzliche Logik für die bei DRAM unvermeidlichen Refresh-Zyklen. Im Standby-Modus sind Low-Power-SRAMs genügsamer als DRAM. [3]

Ein Uni-Transistor RAM bildet wie das DRAM aus nur einem einzigen Transistor und einem Kondensator eine Speicherzelle. Das UtRAM kann aber genau wie SRAM angesteuert werden und benötigt somit keine Refresh-Logik wie ein DRAM. Das Konzept des UtRAM entspricht dem Prinzip des 1T-SRAM. [5]

Video RAM, Zwei - Port - Speicher, welcher gleichzeitiges Lesen und Schreiben ermöglicht. Einsatz als Grafikspeicher.

Windowed RAM, verbessertes VRAM, benötigt aber eigene Controller-Technologie. Einsatz als Grafikspeicher.

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Quellen:

[1]	Thomas Jäckel: IBM - PC Speichertechnologie -- RAM - Speicher, Ausarbeitung zum Proseminar IBM-PC (SS 1999), Technische Universität Chemnitz, Fakultät für Informatik
[2]	N.N.: Schnelle PC133-DIMMs, Neue Intel-i820-Panne, Hardware-Notizen, Zeitschrift c't 11/2000 Seite 58
[3]	N.N.: Hardware-Notizen I, Zeitschrift c't 21/2001, Seite 32
[4]	N.N.: Hardware-Notizen I, Zeitschrift c't 10/2001, Seite 22
[5]	N.N.: Neue Speichertechniken für Mobilgeräte, Nachfolger von SRAM-, Flash- und DRAM-Speicher, Zeitschrift c't 5/2001, Seite 28
[6]	Natalia Pander, Matthias Holtz: In der Stromkrise; Schlaglichter von der ISSCC in San Francisco, Zeitschrift c't 5/2001, Seite 24
[7]	Christof Windeck: Neue Speicherchips von Infineon, Zeitschrift c't 9/2001, Seite 26
[8]	Andreas Stiller: DRAMatische Modularitäten - Rund um DRAMs, SIMMs, EDRAM, EDO..., Zeitschrift c't 4/1995, Seite 334
[9]	N.N.: FRAM^® Ferroelectric RAM Technology, http://www.fme.fujitsu.com/products/fram/technology.html

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